森国科恳求超结MOSFET器件及制备圭臬专利, 提简陋结MOSFET器件的可靠性和融会性
2024-12-23金融界2024年12月21日音信，国度常识产权局信息瓦解，深圳市森国科科技股份有限公司恳求一项名为“一种超结MOSFET器件及制备圭臬”的专利，公开号CN119153531A，恳求日历为2024年11月。 专利摘抄瓦解，本发明波及MOSFET器件期间鸿沟，尤其波及一种超结MOSFET器件及制备圭臬，该器件包括：衬底、M层外延层、甘休层、阱区、源极金属层、栅极和漏极金属层；M层外延层位于衬底之上；甘休层位于M层外延层之上甘休层内的独揽两个区域差别设有一个阱区；源极金属层和栅极均位于甘休层之上，源