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2024-12-23 09:45 点击次数：69
金融界2024年12月21日音信，国度常识产权局信息瓦解，深圳市森国科科技股份有限公司恳求一项名为“一种超结MOSFET器件及制备圭臬”的专利，公开号CN119153531A，恳求日历为2024年11月。
专利摘抄瓦解，本发明波及MOSFET器件期间鸿沟，尤其波及一种超结MOSFET器件及制备圭臬，该器件包括：衬底、M层外延层、甘休层、阱区、源极金属层、栅极和漏极金属层；M层外延层位于衬底之上；甘休层位于M层外延层之上甘休层内的独揽两个区域差别设有一个阱区；源极金属层和栅极均位于甘休层之上，杨方优配源极金属层位于阱区之上，栅极位于源极金属层之间，且栅极隐蔽阱区之间的拒绝区域和阱区的部分区域，漏极金属层位于衬底之下；每层外延层设有浮空P+区，每层外延层的浮空P+区与一个阱区对应开导，相邻两层外延层的浮空P+区为交错开导。该器件提简陋结MOSFET器件的可靠性和融会性，使器件具有更好的雪崩耐量，更低的导通电阻。
本文源自：金融界
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